METHOD FOR PRODUCING SiO sb 2 /sb -TiO sb 2 /sb BASED GLASS, SiO sb 2 /sb -TiO sb 2 /sb BASED GLASS AND EXPOSURE SYSTEM
WO2004092082
Art A1
28. Oktober 2004
Anmelder: NIKON CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004092082
- Aktenzeichen
- EP04726893
- Anmeldetag
- 12. April 2004
- Veröffentlichung
- 28. Oktober 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C03B8/04C03B20/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NIKON CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nikon
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.
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