A process for fabrication of ferroelectric devices with reduced hydrogen ion damage

WO2004093168 Art A1 28. Oktober 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG, Toshiba Corporation 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004093168
Aktenzeichen: EP04722500
Anmeldetag: 22. März 2004
Veröffentlichung: 28. Oktober 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Toshiba Corporation
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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