Methods for contracting conducting layers overlying magnetoelectronic elements of mram devices

WO2004095515 Art A2 4. November 2004

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc., Grynkewich, Gregory W. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004095515
Aktenzeichen: EP04759950
Anmeldetag: 16. April 2004
Veröffentlichung: 4. November 2004
Rechtsraum: WO
IPC: G11C8/02G11C11/00H01L43/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Freescale Semiconductor, Inc.
Grynkewich, Gregory W.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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