A method of forming a metal gate structure with tuning of work function by silicon incorporation

WO2004095556 Art A1 4. November 2004

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004095556
Aktenzeichen: EP04760009
Anmeldetag: 19. April 2004
Veröffentlichung: 4. November 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/324H01L21/336H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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