A method of fabricating a cmos device with dual metal gate electrodes

WO2004095572 Art A1 4. November 2004

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE, Agency for Science, Technology and Research 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004095572
Aktenzeichen: EP04728304
Anmeldetag: 19. April 2004
Veröffentlichung: 4. November 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Firmen: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Agency for Science, Technology and Research
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.

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🇸🇬 Agency for Science, Technology and Research

Staatliche Forschungsorganisation Singapurs (bekannt als A*STAR), zuständig für angewandte Forschung in Biomedizin, Physik und Ingenieurwissenschaften. Fördert Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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