Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen eines Tiefen Grabens in Silizium

WO2004097909 Art A2 11. November 2004

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, International Business Machines Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004097909
Aktenzeichen: EP04750001
Anmeldetag: 12. April 2004
Veröffentlichung: 11. November 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
International Business Machines Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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