Method for fabricating semiconductor device, semiconductor wafer and semiconductor device

WO2004097917 Art A1 11. November 2004

Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004097917
Aktenzeichen: EP04704722
Anmeldetag: 23. Januar 2004
Veröffentlichung: 11. November 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/301H01L21/3205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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