Feldeffekt-Transistor mit Kerbenförmiger Gate-Struktur und Herstellungsverfahren

WO2004100239 Art A1 18. November 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004100239
Aktenzeichen: EP04731367
Anmeldetag: 6. Mai 2004
Veröffentlichung: 18. November 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/423H01L29/49H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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