Verfahren zur Herstellung Selektiver Deckschichten auf Metallstrukturen mit Schmaller Raümen

WO2004100257 Art A1 18. November 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004100257
Aktenzeichen: EP04728568
Anmeldetag: 21. April 2004
Veröffentlichung: 18. November 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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