Cvd und Sog Verfahren Kombiniert um Graben in Halbleiterbauelementen Aufzufüllen

WO2004101840 Art A1 25. November 2004

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004101840
Aktenzeichen: EP04707102
Anmeldetag: 30. Januar 2004
Veröffentlichung: 25. November 2004
Rechtsraum: WO
IPC: C23C2/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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