Plasma Deposited Amorphous Silicon Nitride Interlayer Enabling Polymer Lamination To Germanium
WO2004102228
Art A2
25. November 2004
Anmelder: Lockheed Martin Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004102228
- Aktenzeichen
- EP04751972
- Anmeldetag
- 12. Mai 2004
- Veröffentlichung
- 25. November 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B32B15/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Lockheed Martin Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lockheed Martin
US-amerikanischer Luft- und Raumfahrt- sowie Rüstungskonzern mit Sitz in Maryland, tätig in Entwicklung von Kampfflugzeugen, Raketensystemen, Satelliten und Verteidigungstechnik.
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