Structure and method for forming a trench mosfet having self-aligned features

WO2004105090 Art A2 2. Dezember 2004

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004105090
Aktenzeichen: EP04752160
Anmeldetag: 14. Mai 2004
Veröffentlichung: 2. Dezember 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L/

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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