Nrom-Halbleiterspeichervorrichtung und Herstellungsverfahren

WO2004107435 Art A1 9. Dezember 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004107435
Aktenzeichen: EP04731143
Anmeldetag: 5. Mai 2004
Veröffentlichung: 9. Dezember 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L27/115H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von