Semiconductor device fitted with mis type field-effect transistor, process for producing the same and method of forming metal oxide film

WO2004107451 Art A1 9. Dezember 2004

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004107451
Aktenzeichen: EP04745445
Anmeldetag: 31. Mai 2004
Veröffentlichung: 9. Dezember 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L21/316H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von