Method and system for using ion implantation for treating a low-k dielectric film

WO2004109756 Art A2 16. Dezember 2004

Anmelder: Duerksen, Kenneth, Vidusek, David A., TOKYO ELECTRON LIMITED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004109756
Aktenzeichen: EP04752572
Anmeldetag: 2. Juni 2004
Veröffentlichung: 16. Dezember 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Duerksen, Kenneth
Vidusek, David A.
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇺🇸 USA

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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