High Performance Polycrystalline Transistors
WO2004109767
Art A2
16. Dezember 2004
Anmelder: Yale University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2004109767
- Aktenzeichen
- EP04754742
- Anmeldetag
- 2. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 16. Dezember 2004
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01K1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yale University
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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