Ion doping system, ion doping method and semiconductor device

WO2004109784 Art A1 16. Dezember 2004

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004109784
Aktenzeichen: EP04735514
Anmeldetag: 31. Mai 2004
Veröffentlichung: 16. Dezember 2004
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/336H01L29/786H01J27/08H01J37/08H01J37/317

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

19.779 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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