Mram-Zelle mit Magnetisiertem Reservoir

WO2004112043 Art A1 23. Dezember 2004

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004112043
Aktenzeichen: EP04739577
Anmeldetag: 3. Juni 2004
Veröffentlichung: 23. Dezember 2004
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/15H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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