Multiple oxidation and etch smoothing method for reducing silicon waveguide roughness

WO2004113977 Art A1 29. Dezember 2004

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2004113977
Aktenzeichen: EP04776733
Anmeldetag: 16. Juni 2004
Veröffentlichung: 29. Dezember 2004
Rechtsraum: WO
IPC: G02B6/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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