Sputtering source for ionized physical vapor deposition of metals
WO2005001156
Art A2
6. Januar 2005
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005001156
- Aktenzeichen
- EP04785750
- Anmeldetag
- 13. Mai 2004
- Veröffentlichung
- 6. Januar 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/35H01J37/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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