Thin film transistor, thin film transistor substrate, electronic apparatus and process for producing polycrystalline semiconductor thin film

WO2005001921 Art A1 6. Januar 2005

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005001921
Aktenzeichen: EP04720707
Anmeldetag: 15. März 2004
Veröffentlichung: 6. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/786H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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