Multichip-Halbleiterbaustein und Verfahren zu Seiner Herstellung

WO2005001933 Art A2 6. Januar 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005001933
Aktenzeichen: EP04741825
Anmeldetag: 17. Juni 2004
Veröffentlichung: 6. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/544H01L25/065H01L21/98

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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