Oxygen Sensor Employing Oxide Semiconductor

WO2005003749 Art A1 13. Januar 2005

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2005003749
Aktenzeichen
EP04746916
Anmeldetag
2. Juli 2004
Veröffentlichung
13. Januar 2005
Rechtsraum
WO
IPC
G01N27/12
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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