Oxygen Sensor Employing Oxide Semiconductor
WO2005003749
Art A1
13. Januar 2005
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005003749
- Aktenzeichen
- EP04746916
- Anmeldetag
- 2. Juli 2004
- Veröffentlichung
- 13. Januar 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01N27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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