Growth method of nitride semiconductor epitaxial layers

WO2005004212 Art A1 13. Januar 2005

Anmelder: Seoul National University Industry Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005004212
Aktenzeichen: EP04774087
Anmeldetag: 7. Juli 2004
Veröffentlichung: 13. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul National University Industry Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University Industry Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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