Method for growing thin nitride film onto substrate and thin nitride film device

WO2005004213 Art A1 13. Januar 2005

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005004213
Aktenzeichen: EP04745905
Anmeldetag: 15. Juni 2004
Veröffentlichung: 13. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L33/00

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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