Method of forming low-permittivity insulation film of semiconductor device, semiconductor device using the method and low-permittivity insulation film forming device

WO2005004223 Art A1 13. Januar 2005

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005004223
Aktenzeichen: EP04746799
Anmeldetag: 1. Juli 2004
Veröffentlichung: 13. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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