Variable Gate Bias For A Reference Transistor in A Non-Volatile Memory

WO2005006337 Art A2 20. Januar 2005

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005006337
Aktenzeichen: EP04785816
Anmeldetag: 30. April 2004
Veröffentlichung: 20. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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