Methods for the control of flatness and electron mobility of diamond coated silicon and structures formed thereby

WO2005006362 Art A2 20. Januar 2005

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005006362
Aktenzeichen: EP04754831
Anmeldetag: 9. Juni 2004
Veröffentlichung: 20. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/373

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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