Feldeffekttransistor und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors

WO2005006448 Art A1 20. Januar 2005

Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005006448
Aktenzeichen: EP04763055
Anmeldetag: 30. Juni 2004
Veröffentlichung: 20. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L51/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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