Selective etching of silicon carbide films

WO2005008745 Art A2 27. Januar 2005

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005008745
Aktenzeichen: EP04756255
Anmeldetag: 25. Juni 2004
Veröffentlichung: 27. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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