Mehrschichtige Barriere für Ferroelektrische Kondensatoren, die ein Wiederherstellungstempern Erlaubt

WO2005008751 Art A1 27. Januar 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005008751
Aktenzeichen: EP04749214
Anmeldetag: 2. Juli 2004
Veröffentlichung: 27. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/8246H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von