Temperature control method, substrate processing system and process for producing semiconductor

WO2005008755 Art A1 27. Januar 2005

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005008755
Aktenzeichen: EP04745487
Anmeldetag: 1. Juni 2004
Veröffentlichung: 27. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/31H01L21/22H01L21/324C23C16/46C23C16/52

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

21.154 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen