Dram-Halbleiterspeicherzelle sowie Verfahren zu deren Herstellung

WO2005008770 Art A1 27. Januar 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005008770
Aktenzeichen: EP04741917
Anmeldetag: 29. Juni 2004
Veröffentlichung: 27. Januar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242H01L27/108H01L29/775H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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