Cvd-Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Iii-V-N-Schicht auf einem Substrat
WO2005010231
Art A2
3. Februar 2005
Anmelder: AIXTRON AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005010231
- Aktenzeichen
- EP04741880
- Anmeldetag
- 24. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 3. Februar 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/02C23C16/30C30B25/02C30B29/40C30B25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- AIXTRON AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Aixtron
Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.
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