Cvd-Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Iii-V-N-Schicht auf einem Substrat

WO2005010231 Art A2 3. Februar 2005

Anmelder: AIXTRON AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2005010231
Aktenzeichen
EP04741880
Anmeldetag
24. Juni 2004
Veröffentlichung
3. Februar 2005
Rechtsraum
WO
IPC
C23C16/02C23C16/30C30B25/02C30B29/40C30B25/18
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
AIXTRON AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Aixtron

Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.

303 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen