Field-effect transistor, sensor using it, and production method thereof

WO2005015193 Art A1 17. Februar 2005

Anmelder: CANON KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005015193
Aktenzeichen: EP04771514
Anmeldetag: 4. August 2004
Veröffentlichung: 17. Februar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: G01N27/414H01L29/772

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CANON KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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