Verfahren zur Herstellung eines Feram-Kondensators und durch das Verfahren Hergestellter Feram-Kondensator

WO2005015614 Art A1 17. Februar 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG, Toshiba Carrier Corporation 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005015614
Aktenzeichen: EP04749223
Anmeldetag: 6. Juli 2004
Veröffentlichung: 17. Februar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/8246H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Toshiba Carrier Corporation
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Toshiba Carrier ist ein japanisches Gemeinschaftsunternehmen von Toshiba und Carrier im Bereich Klima- und Kältetechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Heiz-, Kühl- und Beleuchtungstechnik sowie Energie- und Antriebstechnik. Anmeldungen liegen im Zeitraum 2000 bis 2024.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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