Substrate treatment appratus and method of manufacturing semiconductor device

WO2005017987 Art A1 24. Februar 2005

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005017987
Aktenzeichen: EP04747288
Anmeldetag: 9. Juli 2004
Veröffentlichung: 24. Februar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/31H01L21/316C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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