Bipolar transistor with a heterojunction with improved thermal transfer

WO2005017998 Art A2 24. Februar 2005

Anmelder: Thales 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005017998
Aktenzeichen: EP04741993
Anmeldetag: 13. Juli 2004
Veröffentlichung: 24. Februar 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/373

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Thales
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Thales

Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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