Methods of reducing plasma-induced damage for advanced plasma cvd dielectrics
WO2005019497
Art A2
3. März 2005
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005019497
- Aktenzeichen
- EP04781802
- Anmeldetag
- 20. August 2004
- Veröffentlichung
- 3. März 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/40C23C16/509
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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