High mobility misfet semiconductor device on silicon substrate with cavity and a method for producing same

WO2005020314 Art A1 3. März 2005

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005020314
Aktenzeichen: EP04771949
Anmeldetag: 20. August 2004
Veröffentlichung: 3. März 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von