Nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device using same

WO2005022620 Art A1 10. März 2005

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005022620
Aktenzeichen: EP04772423
Anmeldetag: 30. August 2004
Veröffentlichung: 10. März 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L33/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

27.362 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von