Field effect transistor and method of manufacturing the same

WO2005022649 Art A1 10. März 2005

Anmelder: CANON KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005022649
Aktenzeichen: EP04772005
Anmeldetag: 17. August 2004
Veröffentlichung: 10. März 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L51/00C07D487/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CANON KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Organische Chemie

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