In-situ-etch-assisted hdp deposition using sif sb 4 /sb and hydrogen
WO2005024094
Art A2
17. März 2005
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005024094
- Aktenzeichen
- EP04781321
- Anmeldetag
- 16. August 2004
- Veröffentlichung
- 17. März 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/40C23C16/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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