Memory cell structure having nitride layer with reduced charge loss and method for fabricating same

WO2005027210 Art A1 24. März 2005

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005027210
Aktenzeichen: EP04782753
Anmeldetag: 31. August 2004
Veröffentlichung: 24. März 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L21/8246H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

2.407 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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