Bipolar/thin film soi cmos structure and method of making same

WO2005027224 Art A1 24. März 2005

Anmelder: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005027224
Aktenzeichen: EP04816160
Anmeldetag: 31. März 2004
Veröffentlichung: 24. März 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/12H01L21/84H01L27/06H01L21/8249

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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