Interfacial oxidation process for high-k gate dielectric process integration

WO2005029568 Art A2 31. März 2005

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, International Business Machines Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005029568
Aktenzeichen: EP04816211
Anmeldetag: 19. August 2004
Veröffentlichung: 31. März 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/314H01L21/316H01L29/51H01L21/28H01L21/00H01L21/66C23C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
International Business Machines Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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