Sputtering target and process for producing si oxide film therewith

WO2005031028 Art A1 7. April 2005

Anmelder: Toshiba Carrier Corporation, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005031028
Aktenzeichen: EP04788016
Anmeldetag: 22. September 2004
Veröffentlichung: 7. April 2005
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34G02B1/11

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Toshiba Carrier Corporation
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba Carrier

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🇯🇵 Toshiba Materials

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

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