A device and method for forming a contact to a top electrode in ferroelectric capacitor devices

WO2005031856 Art A1 7. April 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005031856
Aktenzeichen: EP04775594
Anmeldetag: 31. August 2004
Veröffentlichung: 7. April 2005
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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