Verfahren zur Abscheidung eines Leitf Higen Materials auf Ei Nem Substrat und Halbleiterkontaktvorrichtung

WO2005033358 Art A2 14. April 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2005033358
Aktenzeichen: EP04765690
Anmeldetag: 29. September 2004
Veröffentlichung: 14. April 2005
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/26C23C16/455H01L21/3205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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