6T Finfet Cmos Sram Cell With an Increased Cell Ratio
WO2005034212
Art A2
14. April 2005
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2005034212
- Aktenzeichen
- EP04789463
- Anmeldetag
- 29. September 2004
- Veröffentlichung
- 14. April 2005
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8244
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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